内光电效应 _生活经验

什么是外部光电效应和内部光电效应？外部光电效应：金属表面通过吸收入射光子流的能量从而释放电子，形成光生电流（真空光电二极管，光电倍增管）
内部光电效应：通过吸收入射光子产生自由电荷载流子，例如PN结光电二极管，PIN光电二极管，雪崩光电二极管

什么是内光电效应和外光电效应？

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内光电效应：光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。外光电效应：物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下，金属会吸收光子并发射电子，发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值时方能发射电子，其临界值即极限频率和极限波长。内光电效应半导体材料的价带与导带间有一个带隙，其能量间隔为Eg 。价带中的电子不会自发地跃迁到导带，所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量，就可以将其激发到导带中，形成载流子，增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg 。以上内容参考：百度百科-内光电效应
什么是光电效应

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光电效应是一个很重要而神奇的现象，简单来说，具体指在一定频率光子的照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，从能量转化的角度来看，这是一个光生电，光能转化为电能的过程。光电效应的公式：hv=ek+w 。其中，hv是光频率为v的光子所带有的能量，h为普朗克常量，v是光子的频率，ek是电子的最大初动能，w是被激发物质的逸出功。一、光电效应的基本性质1、每一种金属在产生光电效应时都存在极限频率，或称截止频率，即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长，或称红限波长，当入射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。2、光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关，而与光强无关。3、光电效应的瞬时性。实验发现，即几乎在照到金属时立即产生光电流，响应时间不超过十的负九次方秒( 1ns ) 。4、入射光的强度只影响光电流的强弱，即只影响在单位时间单位面积内逸出的光电子数目。二、光电效应的逸出功逸出功指的是，光照射金属时，电子从金属表面逃逸必须要克服束缚而做的功。常用单位是电子伏特eV，金属材料的逸出功不但与材料的性质有关，还与金属表面的状态有关，在金属表面涂覆不同的材料可以改变金属逸出功的大小。当外界的光能量低于逸出功时，不会发生光电效应。三、理解光电效应需注意的几个地方1、体现的是粒子性。2、光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率，即光子能量要够大。3、光电效应发生时间极短，没有滞后。4、一个光子对应一个电子，激发出来的叫光电子。5、光的强度增加，指的是单位时间内的光子个数增加。光强的增加会增加电流的大小，不会增加电子的初动能。扩展资料：光电效应现象是赫兹在做证实麦克斯韦的电磁理论的火花放电实验时，偶然发现的，而这一现象却成了突破麦克斯韦电磁理论的一个重要证据。爱因斯坦在研究光电效应时给出的光量子解释，不仅推广了普朗克的量子理论，证明波粒二象性不只是能量才具有，光辐射本身也是量子化的，同时为唯物辩证法的对立统一规律提供了自然科学证据，具有不可估量的哲学意义。这一理论还为波尔的原子理论和德布罗意物质波理论奠定了基础，密立根的定量实验研究不仅从实验角度为光量子理论进行了证明，同时也为波尔原子理论提供了证据。1905年，爱因斯坦把普朗克的量子化概念进一步推广。他指出，不仅黑体和辐射场的能量交换是量子化的，而且辐射场本身就是由不连续的光量子组成，每一个光量子的能量与辐射场频率之间满足ε=hν，即它的能量只与光量子的频率有关，而与强度（振幅）无关。根据爱因斯坦的光量子理论，射向金属表面的光，实质上就是具有能量ε=hν的光子流。如果照射光的频率过低，即光子流中每个光子能量较小，当他照射到金属表面时，电子吸收了这一光子，它所增加的ε=hν的能量仍然小于电子脱离金属表面所需要的逸出功，电子就不能脱离开金属表面，因而不能产生光电效应。如果照射光的频率高到能使电子吸收后其能量足以克服逸出功而脱离金属表面，就会产生光电效应。此时逸出电子的动能、光子能量和逸出功之间的关系可以表示成：光子能量－移出一个电子所需的能量（逸出功）=被发射的电子的最大初动能。即：Εk(max)=hv-W0，这就是爱因斯坦光电效应方程。参考资料来源：百度百科：光电效应
什么是光电效应？有哪几类？与之对应的光电元件有哪些光电效应是指，当光线照射在金属表面时,金属中有电子逸出的现象,称为光电效应.逸出的电子称为光电子。
光电效应发生的原因是金属表面的电子吸收外界的光子, 克服金属的束缚而逸出金属表面。
如带电小锌球在紫外线照射下会失去负电荷带上正电。不同的金属发生光电效应的最小光频率是不同的。
赫兹在1887年发现了光电效应。

光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应.前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应.后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应.
高中我们学习的那个光电效应是外光电效应.
光电导效应就是电导随光照而变化.基于这种效应的光电器件有光敏电阻和光敏二极管与三极管
光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应,基于光生伏特效应原理工作的光电器件有光电池.

光电效应有哪几种?与之对应的光电元件各是那些？光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。

光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二极管）。
光电导效应：光敏电阻。
光伏特效应：光伏板（太阳能电池板）
PS:是的，所谓外光电效应是指现象发生在物体表面，而内光电效应则是发生在物体内部。光电子发射属于外光电效应，而其他两种则是内光电效应。

什么是内光电效应和外光电效应

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内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。外光电效应是一种体效应，其过程分三个步骤：第一步：体内电子吸收光子能量被激发跃迁到高能级；第二步：被激发的电子向表面运动，运动过程中会与其它电子或晶格碰撞，失去部分能量；第三步：克服表面势垒的束缚逸出表面。内光电效应的应用1、太阳能电池PN结光伏效应的一个重要的应用，是利用光照射时，PN结产生的光生电压制造把太阳光能转化成电能的器件——太阳电池。制造太阳电池的材料主要有硅(Si)、硫化镉(CdS)和砷化镓(GaAs)等。现在仍有很多新型高效材料正在研究实验中。目前，太阳电池的应用已十分广泛。它已成为宇宙飞船、人造卫星、空间站的重要长期电源。在其它方面的应用也十分普遍。2、光电探测器光电探测器也是对半导体光电效应的重要应用。光电探测器是指对各种光辐射进行接收和探测的器件。其中光敏管是此类光电器件的重要组成部分。它与我们高中教材传感器实验中研究的光敏电阻都是实行光电信号转化的装置。光电探测器在科技、生活、生产和国防建设中都有着重要的应用。例如数码照相机、数码摄像机、天文显微镜、GPS全球定位系统、气象卫星拍摄的气象云图、巡航导弹目标定位等等。
内外光电效应的区别是什么？1.外光电效应指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。2.内光电效应指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。光电效应光照射到某些物质上 , 引起物质的电性质发生变化 , 这类光致电变的现象统称为光电效应。光电效应一般分为外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子 (自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象。一、外光电效应在光线的作用下, 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。光子是具有能量的粒子,每个光子的能量:E=hvh— 普朗克常数, 6.626×10-34J·s ; ν— 光的频率(s -1)根据爱因斯坦假设,一个电子只能接受一个光子的能量,所以要使一个电子从物体表面逸出, 必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功, 超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物, 从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过 10-9s。根据能量守恒定理E=hv-W该方程称为爱因斯坦光电效应方程。二、内光电效应当光照在物体上, 使物体的电导率发生变化, 或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特效应(光伏效应)。1 光电导效应在光线作用下, 电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态, 而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时, 若这个光电导体为本征半导体材料, 且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。2 光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。① 垒效应(结光电效应)光照射 PN 结时,若 hf ≧ Eg ,使价带中的电子跃迁到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,电子偏向 N 区外侧,空穴偏向 P 区外侧,使 P 区带正电, N 区带负电,形成光生电动势。② 侧向光电效应(丹培效应)当半导体光电器件受光照不均匀时,光照部分产生电子空穴对,载流子浓度比未受光照部分的大,出现了载流子浓度梯度,引起载流子扩散,如果电子比空穴扩散得快,导致光照部分带正电,未照部分带负电,从而产生电动势,即为侧向光电效应。③ 光电磁效应半导体受强光照射并在光照垂直方向外加磁场时, 垂直于光和磁场的半导体两端面之间产生电势的现象称为光电磁效应, 可视之为光扩散电流的霍尔效应。④贝克勒耳效应是指液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电极中的一个电极时, 在两个电极间产生电势的现象称为贝克勒耳效应。感光电池的工作原理基于此效应。
光电效应分为外光电效应和内光电效应正确吗光电效应分为外光电效应和内光电效应是正确的。光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。外光电效应的一些实验规律a．仅当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ0叫做极限波长。b．光电子脱出物体时的初速度和照射光的频率有关而和发光强度无关。这就是说，光电子的初动能只和照射光的频率有关而和发光强度无关。c．在光的频率不变的情况下，入射光越强，相同的时间内阴极(发射光电子的金属材料)发射的光电子数目越多d．从实验知道，产生光电流的过程非常快，一般不超过10的-9次方秒；停止用光照射，光电流也就立即停止。这表明，光电效应是瞬时的。
内外光电效应分别有哪些？各是什么含义？　1.外光电效应光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。根据爱因斯坦的光电子效应，光子是运动着的粒子流，每种光子的能量为hv(v为光波频率，h为普朗克常数)，由此可见不同频率的光子具有不同的能量，光波频率越高，光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子，电子能量将会增加，增加的能量一部分用于克服正离子的束缚，另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律：由上可知，要使光电子逸出阴极表面的必要条件是hv>w 。由于不同材料具有不同的逸出功，因此对每一种阴极材料，入射光都有一个确定的频率限，当入射光的频率低于此频率限时，不论光强多大，都不会产生光电子发射，此频率限称为“红限” 。2.内光电效应当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg 。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg( Eg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh) 。这个关系也可以用长波限表示,即λ0=hcEg 。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间(即图1中每个能带的细线间)跃迁。

什么是内光电效应？什么是外光电效应光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。

光电效应是什么什么是光电效应
光电效应可分为哪三种类型，能否说明传感器的原理并分别列出以之为基础的光电传感器？

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电效应可分为：1、外光电效应:指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。2、内光电效应:指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。3、光生伏特效应:利用光势垒效应，光势垒效应指在光的照射下，物体内部产生一定方向的电动势。光电池是基于光生伏特效应制成的，是自发电式有源器件。扩展资料在光的照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，从能量转化的角度来看，这是个光生电，光能转化为电能的过程。光电效应最早由德国物理学家赫兹于1887年发现，但这一现象在当时很长一段时间内不能被解释清楚。光电效应正确的解释由爱因斯坦提出。科学家们对光电效应的深入研究对发展量子理论起了根本性的作用。每一种金属在产生光电效应时都存在一极限频率(或称截止频率) ,即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长(或称红限波长) 。当射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。参考资料来源：百度百科——光电效应
内光电效应的PN结光伏效应的应用 PN结光伏效应的一个重要的应用，是利用光照射时，PN结产生的光生电压制造把太阳光能转化成电能的器件——太阳电池。制造太阳电池的材料主要有硅(Si)、硫化镉(CdS)和砷化镓(GaAs)等。现在仍有很多新型高效材料正在研究实验中。目前，太阳电池的应用已十分广泛。它已成为宇宙飞船、人造卫星、空间站的重要长期电源。在其它方面的应用也十分普遍。关于目前国内外太阳电池电源设备应用的情形简介如下：宇宙开发——观测用人造卫星、宇宙飞船、通讯用人造卫星…航空运输——飞机、机场灯标、航空障碍灯、地对空无线电通讯…气象观测——无人气象站、积雪测量计、水位观测计、地震遥测仪…航线识别——航标灯、浮子障碍灯、灯塔、潮流计…通讯设备——无线电通讯机、步谈机、电视广播中继站…农畜牧业——电围栏、水泵、温室、黑光灯、喷雾器、割胶灯…公路铁路——无人信号灯、公路导向板、障碍闪光灯、备急电话…日常生活——照相机、手表、野营车、游艇、手提式电视机、闪光灯光电探测器也是对半导体光电效应的重要应用。光电探测器是指对各种光辐射进行接收和探测的器件。其中光敏管(包括各种光敏二极管、光敏三极管和一些光敏晶体管)是此类光电器件的重要组成部分。它与我们高中教材传感器实验中研究的光敏电阻都是实行光电信号转化的装置。光电探测器在科技、生活、生产和国防建设中都有着重要的应用。例如数码照相机、数码摄像机、天文显微镜、GPS全球定位系统、气象卫星拍摄的气象云图、巡航导弹目标定位等等。这些应用中最基本的是有一个非常灵敏的光电探测器。图8所示是一些实际应用中的光电探测器件的图片。
爱因斯坦光电效应理论有哪些内容？光的本质是光量子（即光子），光子具有波粒二象性。光子遵循E=hv和E=mc^2两个公式。光子没有静止质量。光在真空中的传播速度可以通过联立麦克斯韦方程组得到。
光子能量 = 移出一个电子所需的能量 + 被发射的电子的动能
代数形式为hf=φ+Em φ=hf0 Em=(1/2)mv^2 其中 h是普朗克常数，h = 6.63 ×10^-34 J·s， f是入射光子的频率，φ是功函数，从原子键结中移出一个电子所需的最小能量， f0是光电效应发生的阀值频率，Em是被射出的电子的最大动能， m是被发射电子的静止质量， v是被发射电子的速度。
如果光子的能量（hf）不大于功函数（φ），就不会有电子射出。功函数有时又以W标记。这个算式与观察不符时（即没有射出电子或电子动能小于预期），可能是因为系统没有完全的效率，某些能量变成热能或辐射而失去了。
详细内容可阅读爱因斯坦于1905年发表的论文《关于光的产生和转化的一个启发性观点》

内外光电效应的区别1.外光电效应指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。2.内光电效应指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。光电效应光照射到某些物质上 , 引起物质的电性质发生变化 , 这类光致电变的现象统称为光电效应。光电效应一般分为外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子 (自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象。一、外光电效应在光线的作用下, 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。光子是具有能量的粒子,每个光子的能量:E=hvh— 普朗克常数, 6.626×10-34J·s ; ν— 光的频率(s -1)根据爱因斯坦假设,一个电子只能接受一个光子的能量,所以要使一个电子从物体表面逸出, 必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功, 超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物, 从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过 10-9s。根据能量守恒定理E=hv-W该方程称为爱因斯坦光电效应方程。二、内光电效应当光照在物体上, 使物体的电导率发生变化, 或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特效应(光伏效应)。1 光电导效应在光线作用下, 电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态, 而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时, 若这个光电导体为本征半导体材料, 且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。2 光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。① 垒效应(结光电效应)光照射 PN 结时,若 hf ≧ Eg ,使价带中的电子跃迁到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,电子偏向 N 区外侧,空穴偏向 P 区外侧,使 P 区带正电, N 区带负电,形成光生电动势。② 侧向光电效应(丹培效应)当半导体光电器件受光照不均匀时,光照部分产生电子空穴对,载流子浓度比未受光照部分的大,出现了载流子浓度梯度,引起载流子扩散,如果电子比空穴扩散得快,导致光照部分带正电,未照部分带负电,从而产生电动势,即为侧向光电效应。③ 光电磁效应半导体受强光照射并在光照垂直方向外加磁场时, 垂直于光和磁场的半导体两端面之间产生电势的现象称为光电磁效应, 可视之为光扩散电流的霍尔效应。④贝克勒耳效应是指液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电极中的一个电极时, 在两个电极间产生电势的现象称为贝克勒耳效应。感光电池的工作原理基于此效应。
求光电子学的发展史及目前国内外研究现状，最好整理上传光电子涵盖东西太多了…他只是一个定义。具体指哪个方向？

内外光电效应在生活中有什么具体的应用。外光电效应中最常用的就是PMT，光电倍增管，主要用于探测弱光，如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD 。主要应用有激光测距（相位法、脉冲法），医疗分析仪器（生化分析，酶标仪、尿沉渣、血凝仪），光通信（光纤通信、自由空间光通信FSO），光纤传感如测温（DTS）测电流测压力等，粉尘浓度检测，光学断层扫描OCT，原子力显微镜AFM，激光雷达LIDAR，调制编码器，气体成分检测等等，总之光电检测的方向很广。太阳能电池也是基于内光电效应中的光伏效应。

光电效应的含义是什么？光电效应
photoelectric effect
物质受到辐照后释放出电子的效应。1887年德国物理学家H.R.赫兹发现电火花间隙受到紫外线照射时会产生更强的电火花。1889年L.霍耳瓦奇发现金属表面受紫外线照射后会释放出带负电的粒子。1900年P.E.A.von勒纳测量了这种粒子的荷质比，证实为电子。金属受到光照后释放出来的电子称光电子。包含阴极和阳极的真空管称光电管。以波长一定的单色光照射光电阴极，测量所加电压V和相应的光电流I，画成伏安曲线如图1 。图中每条曲线是在光照强度一定的条件下测得，V0是为使光电流为零所需加的反向电压，称阻遏电压。阻遏电压与光电子的最大初始动能Em的关系为Em=eV0，e为电子电量。测定阻遏电压V0与入射光频率v的关系曲线如图2 。
实险表明：①阻遏电压或最大初始动能与光强无关。②阻遏电压V0与频率v成线性关系为V0=k（v-v0），式中K为直线斜率，为普适常数。上式可写成Em=ekv-ekv0 。③只有当入射光频率v≥v0时才能产生光电子，v0称为截止频率（或频率的红限）。不同阴极材料有不同的截止频率。④从光照开始到光电子逸出所需时间称为光电效应的弛豫时间，一般不超过10-9秒。
若把光看成是电磁波并运用经典电磁理论，就无法圆满解释上述实验规律。A.爱因斯坦在1905年的论文中指出，不仅谐振子的能量及它所辐射的电磁辐射是量子化的（见普朗克假设），而且辐射场本身也是量子化的，即光本身是由不连续的能量单元组成的能量流，每个单元的能量为hv，称为光量子，简称光子，h为普朗克常数，v为光波频率。根据光子假设，光电阴极中的电子只能整个地吸收光子能量，一部分消耗于从阴极脱出所需作的功，剩下的能量成为光电子的初始动能，即：

hv＝Em+W0
W0是电子从阴极逸出所需作的最小功，称为脱出功（单位电量的脱出功称为功函数，用j表示，即j=W0/e）。上式称为爱因斯坦公式，它与实验规律一致。美国实验物理学家R.A.密立根于1916年通过实验验证了爱因斯坦公式，得出V0与v间严格的线性关系，并从直线斜率测定了普朗克常数。
按爱因斯坦的光子假设，光具有粒子性，光子具有能量、质量和动量等普通实物粒子所具有的一般属性。光子的质量为hv/c2，

外光电效应对应的光电元件各是那些？光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。

高中我们学习的那个光电效应是外光电效应。
光电导效应就是电导随光照而变化。基于这种效应的光电器件有光敏电阻和光敏二极管与三极管
光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应，基于光生伏特效应原理工作的光电器件有光电池。

内光电效应的些元件1.光电导效应对应的器件是光电导探测器,包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；
2.光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器,包括光电池、光电三极管等；
3.对于能量很小的光子,即在经典电磁波频率范围（即光子能量hν<<kt）内,当能带中的自由载流子吸收了光子时,这些载流子也就相应地从光子那里获得了一定的、微小动量,于是这些载流子便会往背光面运动,这就是所谓光子牵引效应；由于此光子牵引的作用,即将在半导体的光照面与背光面之间出现内建电场和相应的电压——光子牵引电压.
光子牵引效应的主要应用是制作光子牵引探测器,是用以探测入射光的一种器件.</kt）内,当能带中的自由载流子吸收了光子时,这些载流子也就相应地从光子那里获得了一定的、微小动量,于是这些载流子便会往背光面运动,这就是所谓光子牵引效应；由于此光子牵引的作用,即将在半导体的光照面与背光面之间出现内建电场和相应的电压——光子牵引电压.

光电效应有那几种类型，各生成什么光电元件光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。

内外光电效应有那些器件【内光电效应】利用光电子发射材料可以制成各种光电器件。光电倍增管（Photomultiplier Tube）是一种建立在外光电效应、二次电子效应和电子光学理论基础上的，把微弱入射光转换成光电子并获倍增的真空光电发射器件
内光电效应：现代很多光电探
测器都是基于内光电效应，其中光激载流子（电子和空穴）保留在材料内部。最重要的内光电效应是光电导，本征光电导体吸收一个光子，就会从价带激发到导带，产生一个自由电子，同时在价带产生一个空穴。对材料施加的电场导致了电子和空穴都通过材料传输并随之在探测器的电路中产生电流。基于内光电效应的探测器有光电导探测器，光伏探测器等等